Твердотельный накопитель Samsung 990 EVO 1 ТБ M.2 2280 PCIe 4.0 x4/5.0 x2 NVMe 2.0
- Артикул:
- 16333520645
- Страна: Польша
- Доставка: от 990 ₽
- Срок доставки: 12-20 дней
- В наличии: 9
- Оценка: 5
- Отзывов: 15
Характеристики
- Identyfikator produktu
- 16333520645
- Stan
- Nowy
- Producent
- Samsung
- Seria
- 990 Evo
- Kod producenta
- MZ-V9E1T0BW
- Model
- Samsung 990 Evo
- Format dysku
- M.2
- Wysokość
- 2 mm
- Pojemność dysku
- 1TB
- Interfejs
- PCIe
- Maksymalna prędkość odczytu
- 5000 MB/s
- Maksymalna prędkość zapisu
- 4200 MB/s
- Rodzaj kości pamięci
- TLC
- Pamięć podręczna
- 1 MB
- Nominalny czas pracy
- 1.5 mln h
- Zastosowane technologie
- NVMe
- Cechy dodatkowe
- GC
Описание
Dysk SSD Samsung 990 EVO 1TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 (5000/4200 MB/s)
EAN: 8806095300276
Producent: Samsung
Kod producenta: MZ-V9E1T0BW
Rodzina dysków: 990 EVO
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 5000 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4200 MB/s
Odczyt losowy: 700000 IOPS
Zapis losowy: 800000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe:
Pamięć zapisu: Samsung V-NAND 3-bit TLC
Wymiary: 80 x 22 x 2.3 mm
Waga: Maks. 9 g
Interfejs: PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %
Temperatura pracy: 0°C - 70°C
Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy)
Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
Gwarancja producenta: 60
Стоимость доставки приблизительная. Точная стоимость доставки указывается после обработки заказа менеджером.