ТРАНЗИСТОР IRF3205 N-канальный МОП-транзистор 110А 55В 200Вт

13341131735
710.00 ₽
710.00 ₽
1 шт.
  • Страна: Польша
  • Доставка: от 990 ₽
  • Срок доставки: 12-20 дней
  • Купили: 4 раз
  • В наличии: 473
  • Оценка: 5
  • Отзывов: 35

Характеристики

Identyfikator produktu
13341131735

Stan
Nowy

Producent
IR

SMD
nie

Symbol
IRF3710

Moc
200 W

Napięcie
100 V

Prąd
57 A

Waga produktu z opakowaniem jednostkowym
0.01 kg

Kod producenta
IRF3710

Stan opakowania
oryginalne

Описание

TRANZYSTOR IRF3205 N-Channel MOSFET 110A 55V 200W

Z radością przedstawiamy naszą ofertę tranzystora MOSFET N-MOSFET z rodziny HEXFET. Tranzystor ten, produkowany przez renomowanego producenta Infineon (IRF), charakteryzuje się doskonałą wydajnością i niezawodnością. Idealnie nadaje się do szerokiego zakresu zastosowań, w których wymagane jest przewodzenie dużych prądów.

Oto dane techniczne tranzystora:

  • Producent: Infineon (IRF). Nasz tranzystor pochodzi od uznanej firmy Infineon, która jest znana ze swojego zaangażowania w dostarczanie wysokiej jakości komponentów elektronicznych.
  • Typ tranzystora: N-MOSFET. Tranzystor jest typu N-MOSFET, co oznacza, że posiada warstwę n-type między drenem a źródłem.
  • Polaryzacja: unipolarny. Tranzystor jest polaryzowany unipolarnie, co oznacza, że sterowanie bramką odbywa się tylko na jednym typie nośników.
  • Rodzaj tranzystora: HEXFET. Tranzystor należy do rodziny HEXFET, która jest znana z doskonałej wydajności i niskiej rezystancji w stanie przewodzenia.
  • Napięcie dren-źródło: 55V. Tranzystor jest przystosowany do pracy przy napięciu dren-źródło o maksymalnej wartości 55V, co pozwala na zastosowanie go w różnorodnych układach elektronicznych.
  • Prąd drenu: 98A. Tranzystor ma zdolność przewodzenia prądu drenu o wartości maksymalnej 98A, co czyni go idealnym rozwiązaniem dla aplikacji wymagających przewodzenia dużych prądów.
  • Moc: 200W. Tranzystor ma moc obliczeniową wynoszącą 200W, co pozwala na skuteczne zarządzanie energią w układach elektronicznych.
TRANZYSTOR IRF3205 N-Channel MOSFET 110A 55V 200W Kod producenta IRF3710
TRANZYSTOR IRF3205 N-Channel MOSFET 110A 55V 200W
  • Obudowa: TO220AB. Tranzystor jest dostępny w obudowie typu TO220AB, która zapewnia łatwy montaż i skuteczne odprowadzanie ciepła.
  • Napięcie bramka-źródło: 20V. Tranzystor jest zaprojektowany do pracy przy napięciu bramka-źródło o maksymalnej wartości 20V, co umożliwia łatwe sterowanie tranzystorem.
  • Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ. Tranzystor charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, co pozwala na minimalizację strat mocy.
  • Rezystancja termiczna złącze-obudowa: 1K/W.

Zachęcamy do zapoznania się z naszymi innymi atrakcyjnymi ofertami! Oferujemy szeroki wybór wysokiej jakości produktów, które mogą spełnić różnorodne potrzeby.

Dziękujemy za zainteresowanie naszymi produktami i czekamy na Twoją kolejną wizytę!




Приобрести ТРАНЗИСТОР IRF3205 N-канальный МОП-транзистор 110А 55В 200Вт по привлекательной цене с гарантированной доставкой из Польши по всей России, вы можете на сайте Boxcentr.ru
Загрузка...
Загрузка...
Информация о технических характеристиках, комплекте поставки, стране изготовления и внешнем виде товара носит справочный характер.
Стоимость доставки приблизительная. Точная стоимость доставки указывается после обработки заказа менеджером.
Выберите каталог