ТРАНЗИСТОР 12N60 NPN МОП-транзистор 5.8А 600В TO220F

TRANZYSTOR 12N60 NPN MOSFET 5,8A 600V TO220F

12N60 NPN MOSFET 5,8A 600V TO220F TRANZYSTOR

• Tranzystor oznaczony jako 12N60 to N-MOSFET o polaryzacji unipolarnej. Jest produkowany przez firmę ON SEMICONDUCTOR.
• Tranzystor ten ma zdolność przewodzenia prądu w jednym kierunku, od drenu do źródła, gdy odpowiednie napięcie jest dostarczane na bramkę.
• Napięcie dren-źródło tranzystora wynosi 600V. Oznacza to, że tranzystor może pracować przy maksymalnym napięciu 600V między drenem a źródłem.
• Maksymalny prąd drenu, który można przepuścić przez ten tranzystor, wynosi 5,8A. Przekroczenie tej wartości może prowadzić do uszkodzenia tranzystora.
• Moc rozpraszana to 240W. Jest to maksymalna moc, jaką tranzystor może obsłużyć bez przekroczenia dopuszczalnej temperatury pracy.
• Obudowa tranzystora to TO220F. TO220F to popularny pakiet obudowy tranzystora, który zapewnia odpowiednią izolację termiczną i jest wygodny w montażu.
• Maksymalne napięcie bramka-źródło to ±30V. Oznacza to, że napięcie między bramką a źródłem może wynosić maksymalnie ±30V.
• Rezystancja w stanie przewodzenia wynosi 650mΩ. Jest to opór, jaki tranzystor wprowadza w stanie przewodzenia, co prowadzi do pewnych strat mocy.
• Tranzystor ten jest przystosowany do montażu THT (Through-Hole Technology), co oznacza, że może być montowany tradycyjnymi metodami przewlekłymi.

Podane dane opisują tranzystor 12N60 N-MOSFET produkowany przez firmę ON SEMICONDUCTOR. Powyższe informacje mogą być przydatne dla osób zainteresowanych używaniem tego tranzystora w różnych zastosowaniach elektronicznych.

Zachęcamy do zapoznania się z naszymi innymi atrakcyjnymi ofertami! Oferujemy szeroki wybór wysokiej jakości produktów, które mogą spełnić różnorodne potrzeby.

Dziękujemy za zainteresowanie naszymi produktami i czekamy na Twoją kolejną wizytę!