ТРАНЗИСТОР IRLR2905 NPN MOSFET 41А 55В TO252 SMD

TRANZYSTOR IRLR2905 NPN MOSFET 41A 55V TO252 SMD

IRLR2905 NPN MOSFET 41A 55V TO252 SMD TRANZYSTOR

• Producent: Infineon (IRF).
• Typ tranzystora: Jest to tranzystor typu N-MOSFET.
• Polaryzacja: Tranzystor jest polaryzowany unipolarnie, co oznacza, że sterowanie odbywa się za pomocą jednego rodzaju nośnika ładunku.
• Rodzaj tranzystora: Tranzystor należy do rodzaju HEXFET, który jest znaną technologią tranzystorów unipolarnych o wysokiej wydajności.
• Napięcie dren-źródło: Maksymalne napięcie, które tranzystor może obsłużyć między drenem a źródłem, wynosi 55V.
• Prąd drenu: Maksymalny prąd, który może płynąć przez dren tranzystora, wynosi 42A.
• Moc: Maksymalna moc, jaką tranzystor może rozpraszać bez przekroczenia dopuszczalnej temperatury, wynosi 110W.
• Obudowa: Tranzystor ma obudowę typu DPAK. DPAK to obudowa tranzystora w technologii montażu powierzchniowego (SMD), która zapewnia wygodny montaż i dobre chłodzenie.
• Napięcie bramka-źródło: Maksymalne napięcie, które można zastosować między bramką a źródłem tranzystora, wynosi 16V.
• Rezystancja w stanie przewodzenia: Rezystancja tranzystora w stanie przewodzenia wynosi 27mΩ. Jest to opór, jaki tranzystor oferuje dla przepływającego prądu w stanie włączonym.
• Rezystancja termiczna złącze-obudowa: Rezystancja termiczna między złączem a obudową tranzystora wynosi 1.8K/W. Jest to parametr związany z efektywnym odprowadzaniem ciepła.
• Montaż: Tranzystor jest przeznaczony do montażu w technologii montażu powierzchniowego (SMD).
• Ładunek bramki: Ładunek bramki tranzystora wynosi 32nC. Jest to wartość, która wpływa na czas przełączania się tranzystora.

Zachęcamy do zapoznania się z naszymi innymi atrakcyjnymi ofertami! Oferujemy szeroki wybór wysokiej jakości produktów, które mogą spełnić różnorodne potrzeby.

Dziękujemy za zainteresowanie naszymi produktami i czekamy na Twoją kolejną wizytę!